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V/f 模式是什么意思？ 频率下降时电压 V 也成比例下降，这个问题已在回答 4 说明。保持 V/f 比恒定控制是异步电机变频调速的最基本的控制方式，它在控制电机的电源频率变化的同时控制变频器输出的电压，并使二者之比 |
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電容器所謂電容器 (capacitor) 就是能夠儲存電荷的「容器」 . 只不過這種「容器」是一種特殊的物質 — 電荷 (charge), 而且其所儲存的正負電荷等量地分布於 2 塊不直接導通的電極上 . 至此 , 我們就可以描述電容器的 |
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开环是什么意思？ 给所使用的电机装设速度传感器，将实际转速反馈给控制装置进行控制的，称为 “ 闭环 ” ，不用速度传感器运转的就叫作 “ 开环 ” ，通用变频器多为开环方式。 友情提醒：利用电源谷搜索条搜一搜“ |
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幅值磁导率 ( m a ) 没有直流偏置时，交变磁场强度的幅值与磁通密度幅值的关系称为幅值磁导率μ a (4.16) 因为磁化曲线是非线性的，幅值磁导率与峰值磁场强度有关。友情提醒：利用电源谷搜索条搜一搜“什么是 ** ”， |
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有效磁导率μ e 图 4.11 局部磁滞回线电感的磁芯采用低磁导率环形磁芯外，有时还采用开有空气隙 ( μ r =1) 的高磁导率（μ i >>1 磁材料 ) 磁芯。高磁导率磁芯存储能量很少，主要用空气隙存储能量。如果是带有 |
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增量磁导率 m D 在一个直流磁场上叠加一个交流磁场时 ( 图 4.11), 交流分量的磁导率即为增量磁导率 m D ： （ 4.12 ） 如果交流分量和直流分量比较，小到可以忽略，则增量磁导率称之为可逆磁导率 ( m rev ) 。该值与 |
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初始磁导率μ i 一般规定材料样件是环形的闭合磁路。当激励磁场强度 H → 0 时的磁导率称为初始磁导率μ i ： (4.11) 初始磁导率μ i 与温度和频率有关。例如在 DIN IEC401 中规定软磁铁氧体材料的μ i 测试条件为 f |
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最大磁导率μ m 图 4.10 中 m 曲线表示了μ r 值是随磁场强度变化的曲线。在某一磁场强度下，相对磁导率达到最大值，称为最大磁导率μ m 。图4.10 B,m=f(H)关系曲线友情提醒：利用电源谷搜索条搜一搜“什么是 |
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相对磁导率 m r 由式 (1.3) 得到材料的磁导率，也称为绝对磁导率（图 4.10 ）为 通常为了比较介质导磁性能，以真空磁导率为基准，定义介质的磁导率 m 与真空磁导率 m 0 之比为相对磁导率 m r ，即 （4.9) 磁性材料的 |
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涡流损耗 Pe 什麽是涡流？初级安匝（磁势）激励的全部磁通 φ 在磁芯中通过（图 4.5 （ a ））时，磁芯本身也将单匝链合全部磁通 φ而构成单匝的 次级。当交流激励时，初级线圈上的端电压为 磁芯一匝的感应电势，即磁 |
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剩余损耗是由于磁化弛豫效应或磁性滞后效应引起的损耗。所谓弛豫是指在磁化或反磁化的过程中，磁化状态并不是随磁化强度的变化而立即变化到它的最终状态，而是需要一个过程，这个‘时间效应’便是引起剩余损耗的原因 |
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磁芯损耗 铁磁物质在交流磁化过程中，因消耗能量发热，磁材料损耗功率 (P) 由磁滞损耗 (Ph) 、涡流损耗 (Pe) 和剩余损耗 (Pc) 组成： Pc=Ph+Pe+Pc 友情提醒：利用电源谷搜索条搜一搜“什么是 ** ”，即可找到您所需“ |
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Icepak 是强大的 CAE 仿真软件工具，它能够对电子产品的传热，流动进行模拟，从而提高产品的质量，大量缩短产品的上市时间。 Icepak 能够计算部件级，板级和系统级的问题。它能够帮助工程师完成用实验不可能实现的情 |
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仿真 所谓仿真，就是描述一个实际系统的数学模型的特征，对仿真器而言，系统的模型无非就是一系列的代数或微分方程（组）。 友情提醒：利用电源谷搜索条搜一搜“什么是 ** ”，即可找到您所需“ ** ”的解释。 |
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TD－SCDMA的中文含义为时分同步码分多址接入，该项通信技术也属于一种无线通信的技术标准，它是由中国第一次提出并在此无线传输技术（RTT）的基础上与国际合作，完成了TD－SCDMA标准，成为CDMA TDD标准的一员的，这是 |
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EDA是电子设计自动化（Electronic Design Automation）的缩写，在20世纪90年代初从计算机辅助设计（CAD）、计算机辅助制造（CAM）、计算机辅助测试（CAT）和计算机辅助工程（CAE）的概念发展而来的。EDA技术就是以计 |
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LMNMC (local mobile net management center) 本地移动网管理中心。 友情提醒：利用电源谷搜索条搜一搜“什么是 ** ”，即可找到您所需“ ** ”的解释。 |
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CSC (central supervision center) 集中监控中心 —— 面向多 LSC 管理的高级监控层次，通过开放的数据协议，连接下属的多个 LSC 对象。 (SC) 友情提醒：利用电源谷搜索条搜一搜“什么是 ** ”，即可找到您所需“ ** |
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LSC (local supervision center) 区域监控中心 —— 面向区域级的设备对象管理和表现的监控层次，连接区域内的 FSU ，在此层次对监控的基本功能进行表现。 (SS) 友情提醒：利用电源谷搜索条搜一搜“什么是 ** ”，即 |
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FSU (field supervision unit) 现场监控单元 —— 面向直接的设备数据采集、处理的监控层次，可以包含采样、数据处理、数据中继等功能。（ SU ） 友情提醒：利用电源谷搜索条搜一搜“什么是 ** ”，即可找到您所需“ |
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动力环境集中监控系统的概念 动力环境集中监控系统是采用计算机控制系统对分布在不同地域的通信局（站）内的动力及环境设备合理设置必要的监控点，进行遥测、遥信、遥控，实时监视设备运行参数、及时发现和处理故障， |
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砷化镓（GaAs）是由化学元素周期表中Ⅲ族元素镓和Ⅴ族元素砷二者组成的单晶化合物，因此，它又叫做Ⅲ-Ⅴ化合物，是一种新型半导体材料。它的特性与周期表中Ⅳ族元素硅类似，但重要的差别之一是，GaAs的电子迁移率比硅 |
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VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（0 |
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可控硅是属于半控制器件，通过半导体工艺特殊处理，从而得到开通可以控制的电气元件，由于其可以通过的电流很大，导通可控，被大量使用。可控硅是一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于 |
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光控晶闸管也称GK型光开关管，是一种光敏半控器件。由于其完全电气隔离，因此在许多领域得到广大运用 1．光控晶闸管的结构 晶闸管有三个电极：控制极G、阳极A和阴极C。而光控晶闸管由于其控制信号来自光的照射，没有 |
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