MOSFET 管并联工作时，需要考虑两个问题：

1) 满载时，并联器件完全导通时的静态电流分配是否均衡。

2) 通断转换过程中它们的动态电流是否分配均衡。

    在并联工作的情况下，无论是静态还是动态情况，如果一个 MOSFET 管分担了相对较多的电流，它发热将会更厉害，很容易造成损坏或者造成长期的可靠性隐患。

    静态电流分配不均衡是由于并联器件的 Rds 不相等引起的。 Rds 较低的器件分担了比平均值更大的电流。由于 MOSFET 管的 Rds 具有正的温度系数，所以 MOSFET 管不会发生二次击穿。如果 MOSFET 管内部的一小部分区域吸收了更多的电流，则局部发热会比较厉害，内阻增加，就把部分点六转移到相邻区域，以平衡电流密度。

    这个特性在一定范围内也适用于并联的 MOSFET 管。但仅仅靠自身的平衡机制并不足以降低较热器件的工作温度。这是因为 Rds 的温度系数并不是很大，需要较大的器件温差来转移较大的不均衡电流。温差如果太大，那么较热器件的温度就很高，可能已经超出正常工作范围甚至最大允许结温，这是必须避免的情况。

    这个特性在 MOSFET 管内部效果较好是因为 MOSFET 管内部所有区域的热耦合比较强。而对于并联的情况，各个器件外壳独立而共用散热器，甚至散热器也是独立的，其间的热耦合比较非常弱，因此，这个特性对于均衡工作电流所能做的贡献是有限的。

    因此，为了使电流能够静态均衡分配，可采取以下措施：

1) 对于要并联的 MOSFET 管，严格匹配器件的 Rds 。

2) 对具有独立外壳的 MOSFET 管并联工作时，应置于同一个散热片上，并且尽量靠近。

3 ）对于动态均流，并联器件的跨导曲线必须重合。如果所有并联工作的器件栅极在同一时刻具有相同的电压，但跨导不重合，那么无论导通还是关断，各个器件都会承担不同的电流。

4 ）此外，电路的对称设计对平衡动态电流也很重要，从栅极驱动器的共同输出点到栅极端子的引线长度应该相等，从 MOSFET 管源极端子到共同结点的引线长度也应该相等。

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