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摘要:对IGBT栅极驱动特性、栅极串联电阻及其驱动电路进行了探讨.提出了慢降栅压过流保护和过电压吸收的有效方法. 关键词:开关电源;绝缘栅双极晶体管;驱动保护 1 引言 IGBT是MOSF
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针对应用选择最佳的IGBT不仅令人困惑而且耗费时间。本文通过解释需要考虑的折衷来试图简化这一选择过程。为举例说明这种选择方法的好处，本文将讨论针对直流/交流逆变器应用的新一代600V IGBT可能带来的性能改善。这
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根据以上分析，有以下几个方面需要注意： 1 ） EXB841 只有 1 ． 5us 的延时，慢关断动作时间约 8us ，与使用手册上标明的“对 < 10us
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1 ）正常开通过程 当控制电路使 EXB841 输入端脚 14 和脚 15 有 10mA 的电流流过时，光耦合器 IS0l 就会导通， A 点电位迅速下降至 0V ，使 &n
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现在，大电流高电压的 IGBT 已模块化，它的驱动电路除上面介绍的由分立元件构成之外，现在已制造出集成化的 IGBT 专用驱动电路。其性能更好，整机的可靠性更高及体积更小。 集成化驱动电路的构成及性能 下
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1 ． IGBT 的驱动条件驱动条件与 IGBT 的特性密切相关。设计栅极驱动电路时，应特别注意开通特性、负载短路能力和 dUds ／ dt 引起的误触发等问题。 正偏置电压 Uge 增加
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IG BT 的擎住效应与安全工作区 擎住效应 在分析擎住效应之前，我们先回顾一下 IGBT 的工作原理（这里假定不发生擎住效应）。 1 ．当 Uce ＜ 0 时， J3 反偏，
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IGBT 的基本结构 绝缘栅双极晶体管本质上是一个场效应晶体管，只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层。根据国际电 工委员会 IEC ／ TC （ &nbs
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今天， POWER MOSFET(POWER METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR ：大功率金属氧化物半导体场效电晶体)已成为大功率元件(POWER DEVICE)的主流，在市场上居于主导地位。 以電腦為首之電子裝置對輕薄短
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Easy Microprocessor Interface On-Chip Data Latches Digital Inputs Are TTL-Compatible With 10.8-V to 15.75-V Power Supply Monotonic Over the Entire A/D Conversion Range Fast Control Signaling for Digit
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在建立数学模型的基础上,对晶闸管正向压降的温度特性做了计算,并在不同温度下测试两只KP600型晶闸管。结果表明,晶闸管正向压降随温度升高而降低,从而引起变流装置的均流系数随温度升高而升高。为变流装置的使用和试验
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------关于ZVT加入后的效率及改进型拓扑同原始型拓扑的比较 在加入ZVT后，效率始终未能如文献所说得到提高。在反复实验中，发现+BUS侧的电流波形不是很好，而且驱动信号波
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------解决ZVT部分中，电感电流一直存在问题Uc图1-1 原先的ZVT架构 在图1-1中，当ZVT辅管关断时，电感L3、L4中的能量分别转移至C1、C2中。下面以BUS+侧为例来分析。当主开关管Q
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在 SMPS 应用中选择 IGBT 和 MOSFET 的比较 开关电源 (Switch Mode Power Supply;SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择 , 即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择 IGBT 还是 MOSFET 的问题
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摘 要 : 为减小开关器件的开关损耗 , 提高开关频率 , 减小开关电源的体积、重量 , 提高效率 , 介绍了新型移相控制零电压开关 PWM 变换器 ( PSZVS-PWM) 工作原理 , 实现零电压开关的条件 , 并给出了由控制芯片 UC387
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